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STP100N8F6

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    100 A
  • 輸入偏置電容@25V
    5.955 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電壓
    80 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,50A
    8 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    9 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    100 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 反向傳輸電容@25V
    160 pF
  • 功率耗散
    176 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    No
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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