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FCP150N65F

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    24 A
  • 輸入偏置電容@100V
    3.737 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    150 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@12A,10V
    150 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    150 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@2.4mA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    93 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    28 ns
  • 功率耗散
    298 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    73 ns
  • 下降時(shí)間
    6 ns
  • 上升時(shí)間
    15 ns

Physical

  • 重量
    0.063493 oz
  • 配置
    Single
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    800
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    16.3 mm
  • 長(zhǎng)度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.7 mm
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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