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SIA906EDJ-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數

Function

  • 配置
    Dual
  • 通道數量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    4.5 A
  • 輸入偏置電容
    350 pF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    46 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導通電阻@4.5V,3.9A
    46 mΩ
  • 漏源導通電阻
    46 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.4 V
  • 柵極電荷@10V
    12 nC
  • 接通延遲時間
    5 ns
  • 反向傳輸電容
    37 pF
  • 功率耗散
    7.8 W
  • 擊穿電壓
    20 V
  • 關閉延遲時間
    15 ns
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    12 ns
  • 上升時間
    12 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.000988 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    WSON-6-EP(2x2)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    750 μm
  • 長度
    2.05 mm
  • 寬度
    2.05 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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