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按產(chǎn)品類型
更多分類

SIHP30N60E-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    29 A
  • 輸入偏置電容
    2.6 nF
  • 漏源電阻
    125 mΩ
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    125 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    130 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    19 ns
  • 功率耗散
    250 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    63 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    36 ns
  • 上升時(shí)間
    32 ns

Physical

  • 重量
    0.211644 oz
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    15.49 mm
  • 長度
    10.51 mm
  • 寬度
    4.65 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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