DMN4800LSSQ-13

制造商：Diodes

描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

連續(xù)漏極電流

8.6 A
輸入偏置電容@10V

798 pF
類型

N溝道
漏源電壓

30 V
漏源導(dǎo)通電阻@10V,9A

14 mΩ
漏源導(dǎo)通電阻

14 mΩ
柵源極閾值電壓@250uA

1.6 V
柵極電荷@5V

8.7 nC
晶體管類型

N溝道
功率耗散

1.46 W

Physical

引腳數(shù)

8
工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

SMT
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

SO-8

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

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器件參數(shù)

Function

Physical

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