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FCP099N60E

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    37 A
  • 輸入偏置電容@380V
    2.604 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻@10V,18.5A
    87 mΩ
  • 漏源導通電阻
    99 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    88 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    24 ns
  • 反向傳輸電容@380V
    13.9 pF
  • 功率耗散
    357 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    92 ns
  • 下降時間
    22 ns
  • 上升時間
    23 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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