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SIR426DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 閘/源截止電壓
    2.5 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    30 A
  • 輸入偏置電容
    1.16 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    10.5 mΩ
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源極擊穿電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,15A
    10.5 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    10.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    31 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    18 ns
  • 反向傳輸電容
    70 pF
  • 功率耗散
    4.8 W
  • 擊穿電壓
    40 V
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    18 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    10 ns
  • 上升時(shí)間
    15 ns

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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