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R6507ENJTL

制造商:Rohm

描述:MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

Datasheet:

在線詢價
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    7 A
  • 輸入偏置電容@25V
    390 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@2.4A,10V
    665 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@200uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    20 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    78 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    LPTS
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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