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STB20N65M5

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Future
    Future
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    18 A
  • 輸入偏置電容@100V
    1.434 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級(jí)
    Industrial
  • 漏源電阻
    190 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    710 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@9A,10V
    190 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    190 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    36 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    130 W
  • 下降時(shí)間
    7.5 ns
  • 上升時(shí)間
    7.5 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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