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ISL6610CBZ-T

制造商：Renesas Electronics

描述：MOSFET DRVR 4A 4-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC N T/R

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 驅(qū)動(dòng)配置
    半橋
  • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
    4
  • 輸出端數(shù)量
    4
  • 輸出電流
    4 A
  • 類型
    N通道 MOSFET
  • 電源電壓
    4.5 V, 5.5 V
  • 電壓(Min)
    4.5 V
  • 電壓(Max)
    5.5 V
  • 供電電流
    1.6 mA
  • 下降時(shí)間
    8 ns
  • 上升時(shí)間
    8 ns

Physical

  • 工作溫度
    0 °C, 70 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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