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按產(chǎn)品類(lèi)型
更多分類(lèi)

NGTB20N120IHRWG

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode, 3-Pin TO-247, Pb-Free, Tube

Datasheet:

在線(xiàn)詢(xún)價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    40 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    2.1 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    1.2 kV
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    1.2 kV
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    225 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    溝槽型場(chǎng)截止
  • 功率耗散
    384 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • 無(wú)鹵素
    Halogen Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    21.4 mm
  • 長(zhǎng)度
    16.25 mm
  • 寬度
    5.3 mm
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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