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按產(chǎn)品類型
更多分類

IRFD123PBF

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2 V
  • 連續(xù)漏極電流
    1.3 A
  • 輸入偏置電容
    360 pF
  • 漏源電阻
    1.5 Ω
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    200 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    270 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    16 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    8.2 ns
  • 功率耗散
    1 W, 1.3 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    14 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    17 ns
  • 上升時(shí)間
    17 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    4
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    DIP

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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