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IPB50R140CPATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    3.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    23 A
  • 輸入偏置電容@100V
    2.54 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    550 V
  • 漏源導通電阻@14A,10V
    140 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@930uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    64 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    35 ns
  • 功率耗散
    192 W
  • 關閉延遲時間
    80 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    8 ns
  • 上升時間
    14 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-3-2

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    yes
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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