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SIR622DP-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Element14
    Element14
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    51.6 A
  • 輸入偏置電容@75V
    1.516 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    150 V
  • 漏源導通電阻@20A,10V
    17.7 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@7.5V
    31 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    104 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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