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FDD8874

制造商：ON Semiconductor

描述：POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Farnell
    Farnell

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    116 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    116 A
  • 輸入偏置電容
    2.99 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    5.1 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,35A
    5.1 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    5.1 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    72 nC
  • 晶體管類型
    N-Channel
  • 接通延遲時間
    9 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    47 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    37 ns
  • 上升時間
    96 ns

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    252
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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