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按產(chǎn)品類型
更多分類

DMG5802LFX-7

制造商：Diodes

描述：MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    6.5 A
  • 輸入偏置電容
    1.0664 nF
  • 類型
    2個(gè)N溝道
  • 漏源電阻
    11 mΩ
  • 漏源電壓
    24 V
  • 漏源極擊穿電壓
    24 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,6.5A
    15 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    15 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷
    31.3 nC
  • 晶體管類型
    2個(gè)N溝道(雙)共漏
  • 接通延遲時(shí)間
    3.69 ns
  • 功率耗散
    980 mW
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    32.18 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    22.45 ns
  • 上升時(shí)間
    13.43 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    W-DFN5020-6-EP(5x2)

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    800 μm
  • 長(zhǎng)度
    5.1 mm
  • 寬度
    2.1 mm
庫(kù)存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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