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FDA18N50

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    19 A
  • 輸入偏置電容@25V
    2.86 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    265 mΩ
  • 漏源電壓
    500 V
  • 漏源極擊穿電壓
    500 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,9.5A
    265 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    265 mΩ
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷@10V
    60 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    55 ns
  • 功率耗散
    239 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    95 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    90 ns
  • 上升時間
    165 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    30
  • 制造商封裝
    TO-3P

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    18.9 mm
  • 長度
    15.8 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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