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FCP380N60E

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3

Datasheet：

在線詢價
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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
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    Farnell

器件參數

Function

  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    10.2 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.33 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    380 mΩ
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻@10V,5A
    320 mΩ
  • 漏源導通電阻
    380 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3.5 V
  • 柵極電荷@10V
    34 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    17 ns
  • 反向傳輸電容@25V
    60 pF
  • 功率耗散
    106 W
  • 關閉延遲時間
    64 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    9 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    9.4 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.83 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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