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按產(chǎn)品類型
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SI3421DV-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -3 V
  • 連續(xù)漏極電流
    8 A
  • 輸入偏置電容
    2.58 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    16 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,7A
    19.2 mΩ
  • 漏源導通電阻
    19.2 mΩ
  • 柵源電壓
    -20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@10V
    69 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    7 ns
  • 功率耗散
    4.2 W
  • 關閉延遲時間
    55 ns
  • 下降時間
    13 ns
  • 上升時間
    9 ns

Physical

  • 重量
    0.000705 oz
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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