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IRFH6200TRPBF

制造商:Infineon

描述:MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    800 mV
  • 連續(xù)漏極電流
    49 A
  • 輸入偏置電容
    10.89 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.2 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導通電阻@10V,50A
    0.95 mΩ
  • 漏源導通電阻
    950 μΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@150uA
    1.1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    230 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    14 ns
  • 功率耗散
    3.6 W
  • 關閉延遲時間
    140 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    160 ns
  • 上升時間
    74 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PQFN-8(5x6)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    850 μm
  • 長度
    6 mm
  • 寬度
    5 mm
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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