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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI3900DV-T1-E3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    600 mV
  • 閘/源截止電壓
    600 mV
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    2 A
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電阻
    125 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,2.4A
    125 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    125 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1.5 V
  • 柵極電荷@4.5V
    4 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    10 ns
  • 功率耗散
    830 mW
  • 關(guān)閉延遲時間
    14 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    30 ns
  • 上升時間
    30 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.000705 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    3.05 mm
  • 寬度
    1.65 mm
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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