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SIHH26N60E-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8

Datasheet:

在線詢價
  • Future
    Future
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    4 V
  • 連續(xù)漏極電流
    25 A
  • 輸入偏置電容
    2.815 nF
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻
    135 mΩ
  • 柵極電荷@10V
    116 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    202 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK(8x8)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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