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按產(chǎn)品類型
更多分類

NVMFD5C650NLWFT1G

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.2 V
  • 連續(xù)漏極電流
    111 A
  • 輸入偏置電容@25V
    2.546 nF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導通電阻@10V,20A
    3.5 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@98uA
    2.2 V
  • 柵極電荷@4.5V
    16 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 反向傳輸電容@25V
    17 pF
  • 功率耗散
    125 W
  • FET功能
    Standard

Physical

  • 配置
    Dual
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    DFN-8(4.9x5.9)

Compliance

  • RoHS
    Yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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