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QS6M4TR

制造商:Rohm

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

Datasheet:

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    1.5 A
  • 閾值電壓
    1.5 V
  • 配置
    Dual
  • 連續(xù)漏極電流
    1.5 A
  • 輸入偏置電容
    80 pF
  • 漏源電阻
    260 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    230 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵極電荷@4.5V
    1.6 nC
  • 晶體管類型
    N溝道和P溝道互補型
  • 功率耗散
    1.25 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    45 ns
  • 下降時間
    12 ns
  • 上升時間
    12 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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