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按產(chǎn)品類型
更多分類

FDC655AN

制造商：ON Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R

Datasheet：

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 連續(xù)漏極電流
    6.3 A
  • 輸入偏置電容@15V
    830 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    23 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@6.3A,10V
    27 mΩ
  • 漏源導通電阻
    27 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@5V
    13 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關閉延遲時間
    18 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    10 ns

Physical

  • 端子間距
    0.95 mm
  • 引腳數(shù)
    7
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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