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SIHD3N50D-E3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    3 A
  • 輸入偏置電容
    175 pF
  • 漏源電壓
    500 V
  • 漏源導通電阻
    3.2 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵極電荷@10V
    12 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    12 ns
  • 功率耗散
    69 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    11 ns
  • 下降時間
    13 ns
  • 上升時間
    9 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    TO-252-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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