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IRF6641TRPBF

制造商:Infineon

描述:MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    4.6 A
  • 額定電壓
    200 V
  • 連續(xù)漏極電流
    4.6 A
  • 輸入偏置電容@25V
    2.29 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    59.9 mΩ
  • 漏源電壓
    200 V
  • 漏源極擊穿電壓
    200 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@5.5A,10V
    59.9 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    59.9 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@150uA
    4.9 V
  • 柵極電荷@10V
    48 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    16 ns
  • 功率耗散
    2.8 W, 89 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    31 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    6.5 ns
  • 上升時間
    11 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    7
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    MG-WDSON-5

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes

Dimension

  • 高度
    506 μm
  • 長度
    6.35 mm
  • 寬度
    5.05 mm
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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