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NTD360N80S3Z

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

Datasheet:

在線詢價
  • Element14
    Element14
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    13 A
  • 輸入偏置電容@400V
    1.143 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    800 V
  • 漏源導通電阻@10V,6.5A
    300 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@0.3mA
    3.8 V
  • 柵極電荷@10V
    25.3 nC
  • 功率耗散
    96 W

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    Yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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