SIZ342ADT-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

Datasheet：

在線詢價(jià)

器件參數(shù)

Function

閾值電壓

2.4 V
連續(xù)漏極電流

15.7 A
輸入偏置電容@15V

580 pF
類型

2個N溝道
漏源電壓

30 V
漏源導(dǎo)通電阻@10A,10V

9.4 mΩ
柵源極閾值電壓@250uA

2.4 V
柵極電荷@10V

12.2 nC
晶體管類型

2個N溝道(雙)
FET功能

Standard

Physical

工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

SMT
制造商封裝

Power-33-8(3x3)

Compliance

無鉛

Y

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Function

Physical

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