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按產(chǎn)品類型
更多分類

SI7997DP-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -2.2 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    20.8 A
  • 輸入偏置電容
    6.2 nF
  • 漏源電阻
    5.5 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    5.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    160 nC
  • 晶體管類型
    2個P溝道(雙)
  • 功率耗散
    3.5 W, 46 W
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    40 ns
  • FET功能
    標(biāo)準(zhǔn)

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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