SI8821EDB-T2-E1

制造商：Vishay

描述：MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

閾值電壓

-600 mV
配置

Single
連續(xù)漏極電流

-2.3 A
輸入偏置電容

440 pF
漏源電阻

128 mΩ
漏源電壓

-30 V
漏源導通電阻

135 mΩ
柵源電壓

12 V
柵極電荷@10V

17 nC
晶體管類型

P溝道
功率耗散

900 mW
關(guān)閉延遲時間

40 ns
下降時間

15 ns
上升時間

20 ns

Physical

抗輻射加固

No
引腳數(shù)

4
工作溫度

-55 °C, 150 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

CSPBGA4

Compliance

無鉛

Lead Free
REACH SHVC Compliant

Unknown

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