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FDP100N10

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey
  • Future
    Future

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    75 A
  • 輸入偏置電容
    7.3 nF
  • 漏源電阻
    10 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    10 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    100 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    70 ns
  • 功率耗散
    208 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    125 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    115 ns
  • 上升時間
    265 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    16.51 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.83 mm
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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