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按產(chǎn)品類型
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IXTP180N10T

制造商:Littelfuse

描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    180 A
  • 輸入偏置電容@25V
    6.9 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    6.4 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@25A,10V
    6.4 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    6.4 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4.5 V
  • 柵極電荷@10V
    151 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    480 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    42 ns
  • 下降時間
    31 ns
  • 上升時間
    54 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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