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按產(chǎn)品類型
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SIRA18DP-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1.2 V
  • 連續(xù)漏極電流
    33 A
  • 輸入偏置電容
    1 nF
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    7.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷
    21.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 反向傳輸電容
    35 pF
  • 功率耗散
    14.7 W, 3.3 W
  • 元件數(shù)量
    1

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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