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DMN61D9UW-7

制造商:Diodes

描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1 V
  • 輸入偏置電容
    28.5 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@5V,50mA
    2 Ω
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    2 Ω
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷
    0.4 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 功率耗散
    320 mW
  • 擊穿電壓
    60 V

Physical

  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-323(SC-70)

Compliance

  • 無鉛
    Yes
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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