DS1230AB-120IND+

制造商：Analog Devices

描述：NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 120 ns 28-EDIP

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

訪問時間

120 ns
電源電壓

4.75 V, 5.25 V
數(shù)據(jù)總線寬度

8 bit
接口類型

Parallel
接口

Parallel
存儲密度

256 kb
存儲器類型

NVSRAM
存儲器容量

256 kb
供電電流

85 mA

Physical

抗輻射加固

No
引腳數(shù)

28
工作溫度

-40 °C, 85 °C
安裝方式

插件
包裝方式

Rail/Tube
包裝數(shù)量

12
制造商封裝

DIP-28

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

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