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MMBD7000

制造商:CBI

描述:Silicon Epitaxial Planar Switching Diode

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 正向電壓@150m
    1.25 V
  • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
    2 A
  • 平均整流電流
    200 mA
  • 峰值反向電壓
    100 V
  • 容值
    2 pF
  • 反向電壓
    100 V
  • 反向漏電流@100V
    3 μA
  • 反向恢復時間
    4 ns
  • 功率耗散
    350 mW
  • 二極管配置
    1對串聯(lián)式

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -65 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    3000pcs
  • 制造商封裝
    SOT-23(TO-236)

Compliance

  • 無鉛
    Yes
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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