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SIR418DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Datasheet：

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.4 V
  • 閘/源截止電壓
    2.4 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    40 A
  • 輸入偏置電容@20V
    2.41 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    5 mΩ
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源極擊穿電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,20A
    5 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.4 V
  • 柵極電荷@10V
    75 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    19 ns
  • 功率耗散
    39 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    32 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    12 ns
  • 上升時(shí)間
    73 ns

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK-SO-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫存量：0
預(yù)計(jì)交期：
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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