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FDC658P

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    -4 A
  • 額定電壓
    -30 V
  • 閾值電壓
    -1.7 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    4 A
  • 輸入偏置電容
    750 pF
  • 漏源電阻
    50 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -30 V
  • 漏源導通電阻
    50 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@5V
    12 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    12 ns
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關閉延遲時間
    24 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    16 ns
  • 上升時間
    14 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 端子間距
    0.95 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TSOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    3 mm
  • 寬度
    1.7 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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