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STF11N65M2

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP

Datasheet:

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 阻值
    600 mΩ
  • 閾值電壓
    3 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    7 A
  • 輸入偏置電容
    410 pF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    670 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,3.5A
    670 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    670 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    12.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    9.5 ns
  • 功率耗散
    25 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    26 ns
  • 下降時間
    15 ns
  • 上升時間
    7.5 ns

Physical

  • 重量
    0.01164 oz
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220F-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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