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SI4909DY-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -1.2 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數(shù)量
    2
  • 連續(xù)漏極電流
    8 A
  • 輸入偏置電容
    2 nF
  • 類型
    2個P溝道
  • 漏源電阻
    27 mΩ
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,8A
    27 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    27 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷
    63 nC
  • 晶體管類型
    2個P溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    10 ns
  • 功率耗散
    3.2 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    50 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時間
    13 ns
  • 上升時間
    9 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 重量
    0.01787 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
庫存量：0
預(yù)計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

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