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按產(chǎn)品類型
更多分類

DMN3016LK3-13

制造商:Diodes

描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Datasheet:

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    12.4 A
  • 輸入偏置電容
    1.415 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    16 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,11A
    12 mΩ
  • 漏源導通電阻
    12 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.3 V
  • 柵極電荷
    25.1 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    4.8 ns
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    26.1 ns
  • 下降時間
    5.6 ns
  • 上升時間
    16.5 ns

Physical

  • 重量
    0.139332 oz
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

Dimension

  • 高度
    2.29 mm
  • 長度
    6.1 mm
  • 寬度
    6.58 mm
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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