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按產(chǎn)品類(lèi)型
更多分類(lèi)

HIP2100IR4Z

制造商:Renesas Electronics

描述:MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12-Pin DFN EP

Datasheet:

在線詢(xún)價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 驅(qū)動(dòng)配置
    半橋
  • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
    2
  • 輸出端數(shù)量
    2
  • 輸出電流
    2 A
  • 類(lèi)型
    N通道 MOSFET
  • 電源電壓
    14 V, 9 V
  • 電壓(Min)
    9 V
  • 接通延遲時(shí)間
    8 ns
  • 功率耗散
    3.3 W
  • 供電電流
    1.5 mA, 2.5 mA
  • 下降時(shí)間
    10 ns
  • 上升時(shí)間
    20 ns

Physical

  • 引腳數(shù)
    12
  • 工作溫度
    -40 °C, 125 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    75
  • 制造商封裝
    DFN

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
庫(kù)存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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