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FDS3890

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO

Datasheet：

在線詢價(jià)

器件參數(shù)

Function

額定電流

4.7 A
額定電壓

80 V
閾值電壓

2.3 V
連續(xù)漏極電流

4.7 A
輸入偏置電容

1.18 nF
漏源電阻

44 mΩ
漏源電壓

80 V
漏源極擊穿電壓

80 V
漏源導(dǎo)通電阻

44 mΩ
柵源電壓

20 V
柵極電荷@10V

35 nC
晶體管類型

2個N溝道(雙)
接通延遲時(shí)間

11 ns
功率耗散

2 W
關(guān)閉延遲時(shí)間

26 ns
元件數(shù)量

2
下降時(shí)間

12 ns
上升時(shí)間

8 ns
FET功能

邏輯電平門

Physical

配置

Dual
抗輻射加固

No
引腳數(shù)

8
工作溫度

-55 °C, 175 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
包裝數(shù)量

1
制造商封裝

SO-8

Compliance

無鉛

Lead Free
RoHS

Yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1.575 mm
長度

4.9 mm
寬度

3.9 mm

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庫存量：0

預(yù)計(jì)交期：

數(shù)量

單價(jià)

總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

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封裝

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