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DMN61D9U-7

制造商:Diodes

描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS

Datasheet:

在線詢價(jià)
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 輸入偏置電容
    28.5 pF
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    2 Ω
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷
    0.4 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    2.1 ns
  • 功率耗散
    370 mW
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    14.4 ns
  • 下降時(shí)間
    8.4 ns
  • 上升時(shí)間
    1.8 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-23(TO-236)

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
庫存量:0
預(yù)計(jì)交期:
數(shù)量
單價(jià)
總價(jià)(階梯最低數(shù)量總價(jià))

EDA模型
下載zip

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型

替代物料

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