IXDN602SITR

制造商：Littelfuse

描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Datasheet：

在線詢價

器件參數(shù)

Function

驅(qū)動配置

低邊
驅(qū)動器數(shù)量

2
輸出端數(shù)量

2
輸出電流

2 A
負(fù)載類型

MOSFET；IGBT
類型

IGBT, N通道, P通道 MOSFET
電源電壓(Min)

4.5 V
電源電壓(Max)

35 V
電壓(Min)

4.5 V
電壓(Max)

35 V
接通延遲時間

60 ns
峰值脈沖電流

2 A
傳播延遲

60 ns
下降時間

6.5 ns
上升時間

7.5 ns

Physical

抗輻射加固

No
引腳數(shù)

8
工作溫度@Tj

150 °C
工作溫度(Min)

-55 °C
工作溫度(Max)

150 °C
安裝方式

Surface Mount
包裝方式

Tape and Reel
制造商封裝

SOIC-8-EP

Compliance

無鉛

無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

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