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SIS407DN-T1-GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -400 mV
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    25 A
  • 輸入偏置電容@10V
    2.76 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    8.2 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@15.3A,4.5V
    9.5 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    9.5 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@8V
    93.8 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    23 ns
  • 功率耗散
    3.6 W, 33 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    92 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    38 ns
  • 上升時間
    28 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAK1212-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown
庫存量:0
預(yù)計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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