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按產(chǎn)品類型
更多分類

STW38N65M5

制造商:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    30 A
  • 輸入偏置電容
    3 nF
  • 類型
    N溝道
  • 等級
    Industrial
  • 漏源電阻
    95 mΩ
  • 漏源電壓
    650 V
  • 漏源極擊穿電壓
    650 V
  • 漏源導通電阻@10V,15A
    95 mΩ
  • 漏源導通電阻
    95 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5 V
  • 柵極電荷
    71 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    66 ns
  • 功率耗散
    190 W
  • 關閉延遲時間
    66 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    9 ns
  • 上升時間
    9 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

Dimension

  • 高度
    20.15 mm
  • 長度
    15.75 mm
  • 寬度
    5.15 mm
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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