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SQS415ENW-T1_GE3

制造商:Vishay

描述:MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

Datasheet:

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Future
    Future
  • Element14
    Element14
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 連續(xù)漏極電流
    16 A
  • 輸入偏置電容@25V
    4.825 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源導通電阻@10V,12A
    16.1 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@10V
    82 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 功率耗散
    62.5 W

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    PowerPAK1212-8W

Compliance

  • 無鉛
    Y
庫存量:0
預計交期:
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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