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IPB180N03S4LH0ATMA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

Datasheet：

在線詢價
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip
  • Digikey
    Digikey

器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    180 A
  • 輸入偏置電容@25V
    23 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@100A,10V
    0.95 mΩ
  • 漏源導通電阻
    950 μΩ
  • 柵源電壓
    16 V
  • 柵源極閾值電壓@200uA
    2.2 V
  • 柵極電荷@10V
    300 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    9 ns
  • 技術
    OptiMOS?-T2
  • 功率耗散
    250 W
  • 關閉延遲時間
    60 ns
  • 下降時間
    25 ns
  • 上升時間
    7 ns

Physical

  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-263-7-3

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    yes
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料

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